Д. П. Усов, Н. К. Дулаев, А. В. Столяров, Ю. С. Кожедуб, И. И. Тупицын, В. М. Шабаев
Релятивистский расчет молекулярных свойств низколежащих электронных состояний радикала OH выполнен с использованием различных неэмпирических методов квантовой химии. В результате исследования получены кривые потенциальной энергии для электронных состояний в широком диапазоне межъядерных расстояний, сходящихся к трем низшим диссоциационным пределам радикала OH. Для основного состояния установлены зависимости релятивистских поправок, вклада Гаунта, величины спин-орбитального расщепления и квантово-электродинамической поправки к полной энергии от межъядерного расстояния. Дополнительно была рассчитана кривая дипольного момента основного состояния в широком диапазоне межъядерных расстояний. Для электронных состояний, асимптотически приближающихся к первому диссоциационному пределу, вычислены кривые дипольных моментов переходов в основное состояние, включая спин-запрещенные переходы. Полученные результаты важны для исследования процессов формирования молекулы гидроксила в условиях межзвездной среды.